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项目目的
本项目旨在开发一种电路板一体化的微型发光二极管（Micro-LED）芯片封装结构，通过基板、电路板与芯片的集成设计实现封装小型化，满足空间受限场景（如AR/VR设备、可穿戴终端）的应用需求。核心目标包括：
- 突破传统封装尺寸限制，提升器件集成度与光效
- 开发ALD透光保护层工艺，增强有源区域可靠性
- 建立巨量转移与AOI检测技术体系，实现高精度量产能力
管理难点
项目实施面临多重管理难点：
- 多工艺协同复杂度高：LTCC基板加工、ALD梯度镀膜、巨量转移等环节需跨学科技术融合，工艺窗口调试易出现参数冲突
- 设备与算法联调风险：VueReal转移设备接口协议适配、YOLOv8s缺陷识别模型训练依赖硬件部署进度，任一延迟将导致阶段3整体延期
- 长周期可靠性验证瓶颈：85/85%RH 1000小时试验与500次温度循环测试占用大量机时，需提前规划设备档期与样品批次
- 中试线资源协调压力：Class 1000洁净室装修、HVAC验收与设备进场安装存在空间与时间重叠，需精细调度施工团队与供应商
- 客户标准差异应对：华为与XREAL对亮度、功耗指标要求不同，送样前需完成多版本参数调优，增加测试迭代成本
项目计划说明
项目按8阶段推进，总工期365天（2024.10.01-2025.10.17）：
- 阶段1（10.01-10.30，30天）：完成CRS终稿、基板材料选型、ALD工艺初筛，里程碑为确认VueReal设备协议
- 阶段2（10.31-12.30，61天）：开展LTCC微钻孔、薄膜溅射优化、光刻胶测试，里程碑为AOI算法开发完成
- 阶段3（01.01-02.28，60天）：部署AI视觉硬件、训练缺陷识别模型、开发亚微米补偿算法，里程碑为日志系统上线
- 阶段4（03.01-04.30，61天）：设计ALD旋转夹具、开发梯度膜工艺、建立FIB-SEM分析方法，里程碑为HAST加速试验完成
- 阶段5（05.01-06.30，61天）：制作50片基板、转移1000颗/片芯片、完成ALD镀膜，里程碑为光色电综合测试达标
- 阶段6（07.01-08.31，62天）：执行高温高湿、温度循环、机械振动及ESD测试，里程碑为失效模式分析报告输出
- 阶段7（09.01-09.30，30天）：建设Class 1000洁净室、安装调试设备、转移工艺文件，里程碑为SPC过程能力验证通过
- 阶段8（10.01-10.17，17天）：向华为/XREAL送样、编制企业标准、归档知识资产，里程碑为项目结项审计完成